本文首发于“君实财经”微信公众号，发布时间：2023-11-29
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【tf电子】长鑫推出LPDDR5实现国产0-1突破，存储国产替代持续推进
长鑫推出LPDDR5象征国产存储产品进一步突破：根据长鑫官网数据，LPDDR5与上一代LPDDR4X相比，单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%；预计也将赋能更多移动设备，满足数字时代日益增长的存储需求。
随着海外大厂减产与下游去库，合约价已触底反弹。根据TrendForce数据，预计23Q4DRAM合约价季涨幅约3~8%，涨势能否延续仍视实际需求回温的程度，但预期价格已触底反弹。
AI芯片带动HBM升级迭代，成为海外大厂产能与资本开支重点投入方向。根据TrendForce数据，DRAM三大原厂积极布局1alpha/1beta的HBM，预计2024年第一季可完成NVIDIA的HBM3e验证，HBM4各厂规划将于2026年推出。
存储周期底部信号已现，海外大厂投入重心转移逐步退出利基市场叠加国产厂商技术不断突破，存储板块有望迎来周期复苏+国产替代双重增长，建议重点关注。
建议关注存储行业beta机会！
1）芯片：兆易创新/北京君正/普冉股份/东芯股份/恒烁股份等
2）接口：澜起科技/聚辰股份等
3）模组：江波龙/德明利/佰维存储/朗科科技等
4）封测：长电科技/通富微电/华天科技/深科技等
5）材料：雅克科技/安集科技/鼎龙股份等
6）设备：北方华创/中微公司/拓荆科技/华海清科等
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