本文首发于“君实财经”微信公众号，发布时间：2023-07-14
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【ax电子】重点推荐“AI+存储赛道”投资机会
核心逻辑：1）生成式AI及DDR5升级带来缓存增量；2）供给格局好，减产效应明显；3）价格弹性大；4）国产替代率极低，具有“量+价”逻辑。
财联社消息：《科创板日报》10日讯，韩国证券分析师预计，自第三季起存储芯片市场有望快速回温，DRAM和NANDFlash均价将分别上涨7%、5%，摆脱连季下跌的颓势。
AI+DDR5升级带来增量：生成式AI运算中，涉及大量卷积（乘加运算），需要高速吞吐，会显著增加HBM、DDR5等用量。未来推理落地，应用侧百花齐放，数据缓存及存储需求量有望持续提升。根据TrendForce，22年服务器/PC/手机占比分别为37%/36.9%/12.4%，2023年手机/PC虽然销量可能疲软，但DDR4—>DDR5切换过程中，单机容量增加。
供给减少：以DRAM为例，三星、海力士、美光全球占比分别为41%/29%/26%，合计占96%。根据海力士FY22Q4财报和美光FY23Q2财报电话会，海力士、美光资本开支23年预计减少50%，40%。龙头减产，渠道库存消化速度有望加快。
价格弹性大：自21H2以来，一直处于下行通道。目前大宗DRAM产品价格已在低位运行。23H2或24H1有望迎来景气周期，价格弹性大。
【微导纳米】海力士降内存功耗核心技术，国内打破垄断唯一量产设备
据外媒ChosunBiz报道，AI领域，HBM等高性能内存在提升计算性能方面的重要性不断上升，但功耗问题愈发严重。例如英伟达数据中心平台中，DRAM功耗占40%，HBM随层数增大功耗上升。三星电子和SK海力士与学术界合作，投资下一代技术以降低功耗。海力士推出的全新1anmLPDDR5XDRAM，将High-K金属栅（HKMG）工艺应用于移动DRAM，LPDDR5X速度提高了33%，功耗比上一代产品降低了20%以上。
过去HKMG工艺主要用于逻辑芯片，随着市场需求的发展，特别是AI领域对于高性能DRAM的需求，使得DRAM制程工艺演进到了10nm-20nm范围，此时，高性能与低功耗的矛盾逐渐凸出，而HKMG是解决这一矛盾体的有效方法，High-K材料的介电常数比传统SiON绝缘膜高约5倍，使漏电减少10倍之多，因此功耗也能得到很好的控制。
ALD（原子层沉积）技术能够实现高质量、精确控制的薄膜沉积，绝大多数High-K介质依赖ALD工艺。公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备公司，公司实现国产ALD设备在28nm集成电路制造关键工艺（高介电常数栅氧层材料沉积环节）中的突破，并且已经供货于存储芯片公司，并已获得客户重复订单认可。
目前，HKMG技术凭借诸多优势已广泛引起了国内晶圆厂的关注，包括中芯国际、长江存储、长鑫存储等大厂均有相关技术布局，作为HBM高性能内存降低功耗的核心设备将开启新一轮增长空间，目前ALD设备企业中TEL和ASM分别在DRAM电容和HKMG工艺率先实现产业化应用，2022年TEL、ASM两家市场占有率达60%。受外部因素影响，微导纳米的High-KALD设备将是国内晶圆厂的唯一选择，公司将显著受益
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